ענקית הטכנולוגיה ויצרנית הסמארטפונים הדרום קוריאנית, סמסונג, עובדת בימים אלו על מערכת שבבים חדשה למובייל בשם Samsung Exynos Octa 8895 שתציע מערך ליבות עיבוד בתדר מקסימלי שעומד על 3.0GHz, כך עולה מתוך הדלפה חדשה שצצה ברשת החברתית הסינית Weibo.
עוד עולה מתוך הדלפה זו כי שבב השוק הגבוה הבא מבית סמסונג יהיה לראשון של החברה המיוצר בתהליך FinFET 10nm מתקדם, והוא אף ידרוש צריכת חשמל מקסימלית על סך 5 וואט בלבד. נוסף על כך, בין השיפורים אותם יציע השבב בהשוואה לקודמו, אנו צפויים לראות שיפור משמעותי ביכולות עיבוד התמונה (בין 70 ל-80 אחוזים). באמצעות אלו ורבים נוספים, צפויה מערכת השבבים העצמאית של סמסונג להתחרות באופן ישיר מול מקבילתה העתידית בייצור קוואלקום, היא ה-Snapdragon 830.
את שבב ה-Exynos 8895 צפויה סמסונג לחשוף בסמוך למועד ההכרזה על מכשיר הדגל הבא מבית ייצורה, Galaxy S8, או לחילופין במעמד הכרזתו הרשמית. במבחן הביצועים GeekBench, שם לכאורה חלפה מערכת השבבים החדשה, מקבלת זו ניקוד מרשים ביותר של 2301 עבור הביצועים החד-ליבתיים, בעוד עבור ביצועי ה-Multi-Core, מקבלת זו ציון של לא פחות מ-7019 נקודות.
שאר הפרטים אודות השבב, בהם יכולותיו של המאיץ הגרפי, התמיכה האפשרית במסכי 4K, תמיכה משודרגת בזיכרון RAM בנפחים גבוהים משמעותית (ייתכן עד 8 גיגה-בייט) ועוד, אינם ידועים בשלב הנוכחי, אך בהחלט עשויים להחשף במהלך החודשים הקרובים.
עוקבים? כל החדשות מגאדג'טי
חלק מהפוסטים באתר כוללים קישורי תכניות שותפים, עבורם נקבל עמלה עם ביצוע רכישה בפועל של מוצרים. עמלה זו לא מייקרת את העלות הסופית של המוצרים עבורכם.
הסקירות והתכנים המופיעים באתר מהווים המלצה בלבד, וכך יש להתייחס אליהם. כל המחירים המופיעים באתר נכונים ליום הפרסום בלבד והאחריות לקניית מוצר או שירות כזה או אחר מוטלת עליך בלבד – השימוש באתר בהתאם לתנאי השימוש והפרטיות.